최근 AI 시장에서 가장 큰 화제가 되고 있는 기업이 있다. 바로 중국의 AI 스타트업 딥시크(DeepSeek)다. 딥시크는 오픈AI(OpenAI)의 챗GPT와 경쟁하는 대형 언어 모델(LLM)을 개발하며, 낮은 비용과 뛰어난 성능을 앞세워 빠르게 성장하고 있다. 특히 반도체 산업과 AI 생태계의 변화를 주도할 가능성이 높은 기업으로 평가받고 있다. 딥시크의 등장과 AI 시장의 변화딥시크는 2023년 중국에서 설립된 AI 기업으로, 2024년부터 DeepSeek-V2, V3 모델을 출시하며 본격적으로 주목받기 시작했다. 특히 2025년 1월 출시된 DeepSeek-R1 모델은 챗GPT와 경쟁할 수 있는 성능을 제공하면서도, 가격 경쟁력이 뛰어나 개발자와 기업들이 빠르게 도입하고 있다.딥시크의 강점오픈소스..

일산화탄소 경보기의 원리와 중요성일산화탄소(CO)는 무색, 무취의 기체로, 가스 보일러나 난로 등 연소 기구에서 발생할 수 있어 매우 위험합니다.일산화탄소 경보기는 CO가 감지되면 약 85dB의 경보음을 울려 위험 상황을 빠르게 알리며, 우리 가족의 안전을 지키는 중요한 역할을 합니다. 제가 정리한 바에 따르면, 경보기는 CO 중독의 위험을 신속하게 인지하고 대처할 수 있도록 도와주므로, 모든 사람이 활동하는 공간에 반드시 설치해야 합니다. 경보기 설치 장소와 정확한 설치 요령제가 모은 자료에 따르면, 일산화탄소 경보기는 사람이 활동하는 모든 공간에 설치하는 것이 좋습니다.구체적으로 정리해보면:설치 장소:가스 보일러나 기타 CO 발생 위험 기구가 있는 곳부터 시작하여, 침실, 거실, 복도 등 사람이 자주..

AAO(Anodic Aluminum Oxide, 양극 산화알루미늄) 나노로드는 센서, 태양광 전지, 나노소자 등 다양한 분야에서 활용되는 다재다능한 구조입니다. 이번 글에서는 AAO 나노로드 제작의 핵심 기술과 과정을 간단히 소개합니다. AAO란?AAO는 알루미늄(Al)을 전기화학적 산화 과정을 통해 형성한 다공성 구조물입니다. 이 과정에서 알루미늄 표면에 형성되는 산화알루미늄층은 규칙적인 기공 구조를 가지며, 나노미터 크기의 기공(pore)을 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이러한 특성 덕분에 AAO는 다양한 나노소자 제작 및 과학적 연구에 널리 사용됩니다. AAO의 형성 과정전해질 사용 및 산화 과정알루미늄 판을 전해질(옥살산, 황산, 인산 등)에 담그고, 전압을 인가하여 양극 산화를 유도합니다.산화 ..

유기 박막 트랜지스터(OTFT)  OTFT(Organic Thin-Film Transistor)는 유기 반도체를 기반으로 한 박막 트랜지스터로, 유연 디스플레이, 플라스틱 전자제품, 웨어러블 기기 등 다양한 응용 분야에서 사용됩니다. 기존의 무기 반도체 소자에 비해 제조 공정이 간단하고 유연성을 제공하는 것이 특징입니다. OTFT의 주요 특징구조OTFT는 Bottom gate-Top contact 구조가 주로 사용됩니다. 이 구조는 짧은 채널 길이를 제공하여 높은 전류와 빠른 속도를 구현할 수 있습니다.장점제조 공정이 간단하고 비용이 저렴.유연 기판과의 호환성으로 롤투롤(Roll-to-Roll) 공정 가능.가벼운 무게와 대면적 소자 제작 가능.저온 공정이 가능하며, 전자적 특성을 분자 수준에서 조정 가능..

Thin Film 기술 요약Thin Film(박막) 기술은 두께가 약 1마이크로미터(1μm) 이하인 얇은 재료층을 기판 위에 형성하는 기술을 의미합니다. 이는 반도체, 디스플레이, 센서 등 다양한 산업 분야에서 필수적인 기술로 자리 잡고 있습니다.Thin Film의 주요 특징박막의 정의두께가 매우 얇아 일반적인 벌크 재료와는 다른 특성을 보임.표면 및 계면 효과가 강하게 작용하여 전기적, 광학적, 기계적 성질이 달라짐.박막 제작 과정입자의 방출: 열, 고전압 등을 이용해 입자를 방출.입자의 기판 이동: 자유 또는 유도된 방식으로 기판에 도달.기판에서 응축: 입자가 기판 표면에 응축되며 박막 형성.주요 응용 분야마이크로전자공학: 전도체, 절연체 등.센서 기술: 가스 센서, 자기 센서 등.신소재 개발: 매우..

RTD란 무엇인가?Resonant Tunneling Diode (RTD)는 공명 터널링 현상을 활용한 반도체 소자입니다. 이 다이오드는 높은 스위칭 속도와 독특한 특성 덕분에 초고속 회로 설계와 양자 효과 기반 소자 개발에 적합합니다.RTD는 1958년 제안된 Esaki 다이오드(터널 다이오드)를 기반으로 발전했으며, 1974년 Chang 등이 MBE(Molecular Beam Epitaxy)로 성장시킨 Double Barrier 구조에서 RTD를 발견했습니다. RTD의 구조와 동작 원리는 양자역학적 터널링을 기반으로 작동합니다.RTD의 구조와 공명 터널링 원리RTD는 상대적으로 큰 밴드갭을 가진 물질 사이에 상대적으로 작은 밴드갭을 가진 박막을 성장시켜 매우 얇은 적층 구조를 형성합니다.공명 터널링 현..